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三星12英寸3D NAND Flash芯片一期、二期项目

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三星12英寸3D NAND Flash芯片一期、二期项目    建筑面积54万平方米,投资额100亿美元;  服务范围包括咨询总包、设计

获奖情况:国家优质工程奖

2016年度电子信息行业电子工程优秀设计一等奖


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Produced By CMS 网站群内容管理系统 publishdate:2021/07/30 11:38:36
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